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内存的时序

数字越低越好。具体是什么预充电、延迟什么的

内存时序 一种参数,一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,他是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地...

一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”,它们的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,它是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址...

内存首命令延迟设定用选项,对内存性能影响较大,放宽到2N(2T)可适当提升内存超频频率,通常设置为1N(1T)。 1T拥有较少的延迟,较佳的系统内存效能。却较差的兼容性。 2T拥有较久的延迟、差很多的系统内存较能。较高的兼容性、稳定性。推荐将内...

一般先把tRC和tRFC调高一点,保证这两项不影响内存的稳定性,再仔细调4个主参,等主参调好后再降低tRC和tRFC。 对于4个主参,一般是先降CL,再降tRP,接着降tRAS,最后降tRCD。CL、tRCD和tRP每次降低1格,tRAS每次可以降低1-3格;通常来说,tRCD...

8GB是容量意思,PC4代表是DDR4规格,2400是内存频率,RD1-11是这条内存条的时序,因为有些内存条的时序都不一样的,有些是UCO-11,

可以理解为内存时序数值越小内存的速度就越快 但是内存频率越高的话内存时序也相应升高,1600MHZ的内存这个时序是正常的 超内存的话不紧可以提高频率,也可以通过更改时序来提高内存速度 但是时序的时间越小,内存越不稳定。相反越稳定 这个网站...

内存延迟参数其实都差不多,其中最常见的几项为CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS,这其中大多数是沿用JEDEC的内存标准而来,但tRAS这个参数却颇有争议,JEDEC的DDR内存相关标准中并没有把它列为必须的性能参数,甚至有观点认为这一参数纯粹是某些主板...

详细评测内存时序和内存的影响_内存讨论版论坛_太平洋电脑网产品论坛 http://itbbs.pconline.com.cn/diy/11690472.html 这个测试其实就告诉我们没有啥影响,因为内存不是木桶最短那一块!

不一定,我的金士顿8G ddr4 默认2400,时序是17-17-17-39,读写速度每秒18GB,超频到3200,时序变成17-18-18-36,读写速度每秒24GB,时序我也看不懂,应该没多大差别,速度倒是快了不少,只不过电压比默认的高,发热比较大

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